Obiettivi formativi
Introduzione alle varie tecnologie di accrescimento dei materiali monocristallini
Prerequisiti
Fondamenti chimico fisici nelle tecnologie dei materiali, Fisica dei Materiali
Contenuti dell'insegnamento
<br />Aspetti fenomenologici e atomistici nella fisica della cristallizzazione <br />dei materiali, Stabilita' di crescita e concetto di epitassia. La <br />tecnologia di crescita nei materiali per elettronica: rassegna delle <br />principali tecniche. Tecniche di crescita di cristalli massivi. <br />Difetti strutturali: come si generano, come si evidenziano, come si <br />controllano (eliminano). Profili di drogaggio e loro controllo. <br />Cenni di tecnologia di ''processing'' (taglio, lappatura, lucidatura, <br />orientazione dei wafer, con particolare riferimento al silicio).<br />La tecnologia di crescita delle strutture epitassiali: descrizione delle <br />tecniche LPE, CVD, MOCVD, MBE. Cenni di modellizzazione matematica dei <br />processi di deposizione epitassiale.<br />La tecnologia planare (con particolare riferimento al silicio): <br />ossidazione, diffusione in stato solido, impiantazione ionica (cenni),<br />metallizzazioni (cenni), sistemi litografici (cenni). Esempi di <br />applicazioni.
Programma esteso
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Bibliografia
<br />Appunti del docente. Si consiglia inoltre:<br />1) A.A.Chernov ed., Modern Crystallography III: Crystal Growth, Springer, Berlino, 1984 (capitoli selezionati); 2) J.C.Brice, Crystal Growth Processes, Blackie-Halstead press, Glasgow, 1986 (capitoli selezionati)
Metodi didattici
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Modalità verifica apprendimento
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Altre informazioni
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