FISICA DEI MATERIALI
cod. 06901

Anno accademico 2007/08
1° anno di corso - Secondo semestre
Docente
Settore scientifico disciplinare
Fisica della materia (FIS/03)
Field
Discipline fisiche e chimiche
Tipologia attività formativa
Caratterizzante
32 ore
di attività frontali
4 crediti
sede:
insegnamento
in - - -

Obiettivi formativi

<br />Descrizione di aspetti di fisica dello stato solido edi cristallografia di particolare rilievo nella tecnologia dei materiali di interesse applicativo, soprattutto elettronico

Prerequisiti

<br />Laurea triennale in fisica e/o in scienza e tecnologia dei materiali

Contenuti dell'insegnamento

''RICHIAMI DI TERMODINAMICA STATISTICA. DIFETTI PUNTUALI: DISORDINE PUNTUALE NEI CRISTALLI E SUA STABILITA`. DIFETTO DI STECHIOMETRIA IN FASI SOLIDE CRISTALLINE. INCIDENZA DEI DIFETTI DI PUNTO SULLE PROPRIETA` FISICHE E NELLA DIFFUSIONE A STATO SOLIDO. DIFETTI ESTESI DI LINEA (DISLOCAZIONI), DI SUPERFICIE E DI VOLUME NEI CRISTALLI; LORO INCIDENZA SULLE PROPRIETA` FISICHE. GENESI, RIDUZIONE E CONTROLLO DEI DIFETTI ESTESI NEI CRISTALLI (STABILITA` STRUTTURALE). TERMOELASTICITA` E DIFETTI ESTESI (CENNI). APPROCCIO FENOMENOLOGICO A SUPERFICI DI CRISTALLI E INTERFACCIE `CRISTALLO-FLUIDO`. ENERGIA SUPERFICIALE E SUA INCIDENZA SU EQUILIBRI DI FASE E FORMAZIONE DI MICROPRECIPITATI (RELAZIONI DI GIBBS-THOMPSON E DI OSTWALD). FORME DI EQUILIBRIO DELLE SUPERFICI CRISTALLINE (TEOREMA DI WULFF). CENNI SULLE TRANSIZIONI `SOLIDO-SOLIDO` E SULLA SINTERIZZAZIONE. APPROCCIO ATOMISTICO A SUPERFICI DI CRISTALLI E INTERFACCIE `CRISTALLO-FLUIDO`: MODELLI DI JACKSON E TEMKIN (INTERFACCIE COMPATTE [LISCIE E RUVIDE] E DIFFUSE). TRANSIZIONE DI IRRUVIDIMENTO E FUSIONE SUPERFICIALE. APPROCCIO CRISTALLOGRAFICO A SUPERFICI DI CRISTALLI: TEORIA DI HARTMANN-PERDOK. MECCANISMI DI CRESCITA CRISTALLINA: CRESCITA NORMALE (WIKSON-FRENKEL); CRESCITA LATERALE (BCF); CRESCITA PER NUCLEAZIONE BIDIMENSIONALE). IL CONCETTO DI EPITASSIA E LA CRESCITA EPITASSIALE: MECCANISMI DI VAN DER MERWE, STRANSKI-KRASTANOV, VOLMER-WEBER. LE PRINCIPALI TECNICHE DI CRESCITA EPITASSIALE (VPE, CVD, MOCVD, MBE). CENNI DI TECNOLOGIA PLANARE. ''

Programma esteso

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Bibliografia

<br />Appunti del docente. Si consiglia inoltre:<br />1)R.A.Swalin, Thermodynamics of Solids, Wiley, New.York, 1962 (capitoli selezionati); 2) P.Hartman ed., Crystal Growth: An Introduction, North-Holland, Amsterdam, 1973 (capitoli selezionati); 3) J.C.Brice, Crystal Growth Processes, Blackie-Halstead Press, Glasgow, 1986 (capitoli selezionati)<br /> <br /> <br /> 

Metodi didattici

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Modalità verifica apprendimento

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Altre informazioni

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